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簡介:硅片測(cè)試去哪里做?百檢材料檢測(cè)中心可提供硅片測(cè)試服務(wù),為CMA資質(zhì)認(rèn)證機(jī)構(gòu),高新技術(shù)企業(yè),針對(duì)產(chǎn)品研發(fā)、質(zhì)量控制中遇到的問題,提供成分檢測(cè)、產(chǎn)品檢測(cè)、產(chǎn)品檢測(cè)、儀器檢測(cè)等綜合解決方案,儀器齊全,科研團(tuán)隊(duì)強(qiáng)大,7-15個(gè)工作日可出具檢測(cè)報(bào)告,支持掃碼查詢真?zhèn)?,全國上門取樣、寄樣檢測(cè)服務(wù),檢測(cè)周期短、檢
發(fā)布時(shí)間:2023-07-04
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硅片測(cè)試如何辦理?硅片測(cè)試檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)有哪些?百檢檢測(cè)可為您提供材料等相關(guān)檢測(cè)服務(wù)。
檢測(cè)周期:3-15個(gè)工作日(可加急)
報(bào)告資質(zhì):CNAS、CMA、CAL等
硅片測(cè)試范圍:
單晶硅片,太陽能硅片,光伏硅片,半導(dǎo)體硅片,切割硅片,鍍膜硅片,清洗硅片,拋光硅片等。
硅片測(cè)試項(xiàng)目:
電阻率測(cè)試,翹曲度測(cè)試,厚度測(cè)試,表面粗糙度測(cè)試,燃燒測(cè)試,彎曲度測(cè)試,平整度測(cè)試,絨面反射率測(cè)試,碳氧含量檢測(cè),壓電系數(shù)測(cè)試,ECV測(cè)試,負(fù)載測(cè)試,硬度測(cè)試,抗彎強(qiáng)度測(cè)試,晶圓測(cè)試,表面雜質(zhì)測(cè)試,表面有機(jī)物測(cè)試,少子壽命測(cè)試,顆粒度測(cè)試,表面接觸角測(cè)試等。(更多項(xiàng)目需求,您可咨詢?cè)诰€實(shí)驗(yàn)室工程師,為您詳細(xì)解答。)
硅片測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):
GB/T29055-2019太陽能電池用多晶硅片
GB/T26068-2018硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測(cè)試 非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減法
GB/T37051-2018太陽能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法
GB/T32814-2016硅基MEMS制造技術(shù) 基于SOI硅片的MEMS工藝規(guī)范
GB/T24578-2015硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測(cè)試方法
GB/T32280-2015硅片翹曲度測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法
GB/T32281-2015太陽能級(jí)硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測(cè)定 二次離子質(zhì)譜法
GB/T30859-2014太陽能電池用硅片翹曲度和波紋度測(cè)試方法
GB/T30860-2014太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測(cè)試方法
GB/T30869-2014太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化 測(cè)試方法
GB/T30701-2014表面化學(xué)分析 硅片工作標(biāo)準(zhǔn)樣品表面元素的化學(xué)收集方法和全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測(cè)定
GB/T29505-2013硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法
GB/T29507-2013硅片平整度、厚度及總厚度變化測(cè)試 自動(dòng)非接觸掃描法
GB/T6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法 非接觸渦流法
GB/T6617-2009硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法
GB/T6618-2009硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法
GB/T6619-2009硅片彎曲度測(cè)試方法
檢測(cè)流程步驟
1、電話溝通、確認(rèn)需求;
2、推薦方案、確認(rèn)報(bào)價(jià);
3、郵寄樣品、安排檢測(cè);
4、進(jìn)度跟蹤、結(jié)果反饋;
5、出具報(bào)告、售后服務(wù);
6、如需加急、優(yōu)先處理;
百檢網(wǎng)是一家綜合性檢測(cè)服務(wù)平臺(tái),匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)檢測(cè)機(jī)構(gòu)遍布全國各地,更多檢測(cè)需求請(qǐng)聯(lián)系咨詢百檢相關(guān)客服.
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