咨詢(xún)集成電路試驗(yàn)服務(wù)，上百檢網(wǎng)。我們會(huì)為您安排集成電路試驗(yàn)工程師對(duì)接，溝通集成電路試驗(yàn)項(xiàng)目、標(biāo)準(zhǔn)、周期等，待方案確認(rèn)后，即可開(kāi)始樣品檢測(cè)，出具集成電路試驗(yàn)報(bào)告真實(shí)有效，常規(guī)周期在3-15個(gè)工作日，特殊項(xiàng)目需在方案制定時(shí)詳細(xì)確認(rèn)，歡迎咨詢(xún)。

檢測(cè)樣品：紡織品、化妝品、食品、農(nóng)產(chǎn)品、絕緣工具、五金件等

報(bào)告資質(zhì)：CNAS/CMA/CAL

報(bào)告周期：常規(guī)3-15個(gè)工作日，特殊樣品、檢測(cè)項(xiàng)目除外。

檢測(cè)費(fèi)用：根據(jù)檢測(cè)項(xiàng)目收費(fèi)，詳情請(qǐng)咨詢(xún)百檢網(wǎng)。

集成電路試驗(yàn)項(xiàng)目：

低溫存儲(chǔ)試驗(yàn),低溫工作試驗(yàn),低溫運(yùn)行試驗(yàn),沖擊試驗(yàn),功率因數(shù)測(cè)量誤差試驗(yàn),功率測(cè)量誤差試驗(yàn),功耗試驗(yàn),可焊性試驗(yàn),周期中斷功能試驗(yàn),響應(yīng)時(shí)間試驗(yàn),增益試驗(yàn),外觀(guān)和尺寸檢查,失效保護(hù)功能試驗(yàn),工作電流試驗(yàn),開(kāi)路/短路,引出端強(qiáng)度試驗(yàn),抗靜電測(cè)試試驗(yàn),抗靜電能力試驗(yàn),振動(dòng)試驗(yàn),接收器差分輸入閾值電壓試驗(yàn),接收器輸入阻抗試驗(yàn),接收器輸出電壓試驗(yàn),接收器輸出短路電流試驗(yàn),接收器輸出高阻態(tài)漏電流試驗(yàn),接收靈敏度試驗(yàn),數(shù)字輸入電壓試驗(yàn),時(shí)鐘功能試驗(yàn),機(jī)械性能試驗(yàn),極性判別時(shí)間試驗(yàn),極限溫度使用試驗(yàn),溫度沖擊試驗(yàn),溫度影響量試驗(yàn),焊錫接合強(qiáng)度試驗(yàn),電壓信號(hào)采樣通道測(cè)量誤差試驗(yàn),電壓基準(zhǔn)試驗(yàn),電流信號(hào)采樣通道測(cè)量誤差試驗(yàn),電源電流測(cè)試,電能計(jì)量誤差試驗(yàn),線(xiàn)性放大試驗(yàn),耐濕,耐焊接熱試驗(yàn),自動(dòng)極性判斷和校正試驗(yàn),諧波影響量試驗(yàn),過(guò)壓保護(hù)功能試驗(yàn),過(guò)流保護(hù)功能試驗(yàn),通信速率及誤碼率試驗(yàn),鬧鐘中斷試驗(yàn),靜態(tài)工作電流,頻率影響量試驗(yàn),頻率測(cè)量誤差試驗(yàn),頻率溫度特性試驗(yàn),頻率電壓特性試驗(yàn),驅(qū)動(dòng)器共模輸出電壓試驗(yàn),驅(qū)動(dòng)器差分輸出電壓試驗(yàn),驅(qū)動(dòng)器輸出短路電流試驗(yàn),高溫存儲(chǔ)試驗(yàn),高溫壽命試驗(yàn),高溫工作試驗(yàn),高溫運(yùn)行試驗(yàn),高溫高濕存儲(chǔ)試驗(yàn),高溫高濕試驗(yàn),X射線(xiàn)檢查,剪切強(qiáng)度,外部目檢,密封,恒定加速度,溫度循環(huán),穩(wěn)定性烘焙,穩(wěn)態(tài)壽命,粒子碰撞噪聲檢測(cè),粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn),老煉試驗(yàn),芯片剪切強(qiáng)度,芯片粘接的超聲檢測(cè),鍵合強(qiáng)度,鍵合強(qiáng)度（破壞性鍵合拉力試驗(yàn)）,靜電放電敏感度的分級(jí),靜電放電敏感度測(cè)試/人體模型,靜電放電敏感度測(cè)試/場(chǎng)感應(yīng)器件放電模型,靜電放電敏感度測(cè)試/集成電路閂鎖測(cè)試,掃描電子顯微鏡（SEM）檢查,傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量-1Ω/150Ω直接耦合法,傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量-大電流注入（BCI）法,傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量-直接注入法,汽車(chē)電子瞬態(tài)傳導(dǎo)抗擾度（脈沖1，2a,3a,3b),電快速瞬變脈沖群抗擾度,輻射發(fā)射測(cè)量-TEM小室和寬帶TEM小室法,輻射抗擾度測(cè)量-TEM小室和寬帶TEM小室法,低溫工作壽命測(cè)試,常溫循環(huán)擦寫(xiě)后的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試,常溫循環(huán)擦寫(xiě)后的數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試和讀操作干擾測(cè)試,常溫循環(huán)擦寫(xiě)耐力測(cè)試,未經(jīng)循環(huán)擦寫(xiě)的超高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力測(cè)試,未經(jīng)循環(huán)擦寫(xiě)的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力測(cè)試,高溫工作壽命測(cè)試,高溫循環(huán)擦寫(xiě)后的超高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力測(cè)試,高溫循環(huán)擦寫(xiě)后的高溫工作壽命測(cè)試,高溫循環(huán)擦寫(xiě)后的高溫?cái)?shù)據(jù)保持能力測(cè)試,高溫循環(huán)擦寫(xiě)耐力測(cè)試,高溫早期失效測(cè)試,(運(yùn)算放大器的)短路輸出電流,MOS電路傳輸時(shí)間,MOS電路延遲時(shí)間和轉(zhuǎn)換時(shí)間,串?dāng)_衰減,串?dāng)_衰減（多重放大器）,交變濕熱,低溫,共模輸入電壓范圍,沖擊,分辨時(shí)間,功能驗(yàn)證,動(dòng)態(tài)條件下的總電源電流,動(dòng)態(tài)特性,單位增益頻率,雙極型電路傳輸時(shí)間,雙極型電路延遲時(shí)間和轉(zhuǎn)換時(shí)間,可焊性,響應(yīng)時(shí)間,基準(zhǔn)電壓,備用電流（靜態(tài)電流）,外部目檢和標(biāo)志檢查,存儲(chǔ)器寫(xiě)恢復(fù)時(shí)間,存儲(chǔ)器地址存取時(shí)間,存儲(chǔ)器片選存取時(shí)間,存儲(chǔ)器讀存取時(shí)間,導(dǎo)通時(shí)間和截止時(shí)間,小信號(hào)輸入阻抗,尺寸,差分放大器的輸出電壓范圍,建立時(shí)間和保持時(shí)間,開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù),引出端之間的絕緣電阻,引出端強(qiáng)度,彎曲試驗(yàn),強(qiáng)加速濕熱,截止態(tài)和導(dǎo)通態(tài)電流（對(duì)模擬信號(hào)開(kāi)關(guān)電路）,截止態(tài)開(kāi)關(guān)隔離,截止頻率,扭轉(zhuǎn)試驗(yàn),拉力試驗(yàn),振動(dòng)，掃描頻率,控制饋通電壓,推力試驗(yàn),數(shù)字集成電路功能檢驗(yàn),時(shí)序電路的轉(zhuǎn)換頻率,易燃性,最小寫(xiě)脈沖持續(xù)時(shí)間（脈寬）的測(cè)試,最高和最低工作溫度下電特性,標(biāo)志耐久性,標(biāo)志耐溶劑性,正向鎖定的輸入/輸出電壓或電流,溫度變化,溫度快速變化,滿(mǎn)輸出電壓幅度的上限頻率,獨(dú)立元件的測(cè)量(外貼元件),獨(dú)立元件的測(cè)量(淀積膜元件的測(cè)量),環(huán)境溫度下電特性,電壓測(cè)試：等效輸入和輸出電容、等效輸入和輸出電阻,電流測(cè)試：大信號(hào)工作時(shí)的輸入和輸出電容,電測(cè)試

集成電路試驗(yàn)流程：

1、確認(rèn)樣品和需求

2、制定方案

3、報(bào)價(jià)

4、雙方確定，簽訂保密協(xié)議，開(kāi)始實(shí)驗(yàn)

5、3-15個(gè)工作日（特殊樣品除外）完成實(shí)驗(yàn)

6、出具檢測(cè)報(bào)告，后期服務(wù)。

集成電路試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：

1、EN 61967-2:2005 集成電路-電磁發(fā)射測(cè)量，150kHz - 1GHz-第2部分:輻射發(fā)射測(cè)量- TEM小室和寬帶TEM小室法 8

2、GJB4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析方法 項(xiàng)目1101、項(xiàng)目1102 2.3

3、GB/T12750-2006 半導(dǎo)體器件 集成電路第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范（不包括混合電路） 12.1

4、Q/GDW 11179.14-2015 電能表用元器件技術(shù)規(guī)范 第11部分：計(jì)量芯片 7.4.1

5、IEC 62132-4:2006 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量,150 kHz -1 GHz - 第四部分：直接射頻功率輸入法 8

6、SJ 21473.3-2018 軍用集成電路電磁抗擾度測(cè)量方法 第3部分：傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量大電流注入（BCI）法 6

7、GJB548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 2016

8、ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 靜電放電敏感度測(cè)試，帶電器件模型（CDM）-器件級(jí)

9、GB/T 17574-1998 半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第IV篇 第3節(jié) 4.1.2

10、JESD22-A108F:2017 溫度偏置壽命實(shí)驗(yàn) 4.2.3.2

11、IEC 62215-3:2013 集成電路-脈沖抗擾度測(cè)量-第三部分：異步瞬態(tài)注入法 10 & Annex D

12、GB/T 17940-2000,IEC 60748-3:1986 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 第IV篇 第2節(jié) 17

13、JESD22-A117E:2018 電子可清除可編程ROM編程/清除耐久力和數(shù)據(jù)保持能力測(cè)試 4.2

14、AEC-Q100-005-REV-D1:2012 可寫(xiě)可擦除的永久性記憶的耐久性、資料保持及工作壽命的測(cè)試 3.3

15、JESD47K :2018 IC集成電路壓力測(cè)試考核 5.5 表 5-1

16、IEC 62132-2:2010 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量，150kHz - 1GHz-第2部分:輻射抗擾度測(cè)量- TEM小室和寬帶TEM小室法 8

17、Q/GDW 11179.11-2015 電能表用元器件技術(shù)規(guī)范 第11部分：串口通信協(xié)議RS-485芯片 7.5.1

18、JEDEC JESD78E-2016 集成電路閂鎖測(cè)試

19、IEC 62132-3:2007 集成電路-電磁抗擾度測(cè)量,150 kHz -1 GHz - 第三部分：大電流注入（BCI）法 6

20、AEC-Q100-008-REV-A:2003 早期壽命失效率 3.2

集成電路試驗(yàn)報(bào)告有什么用？

1、公司內(nèi)部產(chǎn)品研發(fā)使用。

2、改善產(chǎn)品質(zhì)量。

3、工業(yè)問(wèn)題診斷。

4、銷(xiāo)售使用（商超、電商、投標(biāo)等）。

5、高?？蒲姓撐臄?shù)據(jù)使用。

關(guān)于集成電路試驗(yàn)檢測(cè)內(nèi)容就介紹到這里。做檢測(cè)，上百檢，百檢網(wǎng)期待與您的合作。