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簡(jiǎn)介:咨詢半導(dǎo)體IGBT電路檢驗(yàn)服務(wù),上百檢網(wǎng)。我們會(huì)為您安排半導(dǎo)體IGBT電路檢驗(yàn)工程師對(duì)接,溝通半導(dǎo)體IGBT電路檢驗(yàn)項(xiàng)目、標(biāo)準(zhǔn)、周期等,待方案確認(rèn)后,即可開始樣品檢測(cè),出具半導(dǎo)體IGBT電路檢驗(yàn)報(bào)告真實(shí)有效,常規(guī)周期在3-15個(gè)工作日,特殊項(xiàng)目需在方案制定時(shí)詳細(xì)確認(rèn),歡迎咨詢。
發(fā)布時(shí)間:2024-07-16
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檢測(cè)周期:常規(guī)3-15個(gè)工作日,特殊樣品除外,在可行范圍內(nèi)可安排加急。
報(bào)告樣式:紙質(zhì)、電子版、中英文均可。
低溫測(cè)試,反向恢復(fù)時(shí)間trr,密封,開關(guān)時(shí)間(td(on),tr,tf,td(off)),最大集電極電流IC,柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(ON),柵極漏電流IGES,柵電荷(Qg,Qgs,Qgd),正向跨導(dǎo)gfs,穩(wěn)態(tài)熱阻Rja,Rjc,老煉試驗(yàn),集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(BR)CES,集電極-發(fā)射極通態(tài)電壓VCE(ON),集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE(sat),集電極峰值電流ICM,高溫反偏試驗(yàn),高溫壽命,高溫測(cè)試
1、通過(guò)網(wǎng)站聯(lián)系方式與客服進(jìn)行溝通
2、確認(rèn)需求后,推薦并制訂方案,隨后進(jìn)行報(bào)價(jià)
3、確認(rèn)方案及報(bào)價(jià)后,安排樣品郵寄至指定實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行檢測(cè)
4、樣品寄送到實(shí)驗(yàn)室后,等待實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)結(jié)果
5、實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)完畢后出具相應(yīng)報(bào)告,如需紙質(zhì)報(bào)告則安排郵寄
在辦理期間如需加急,需要及時(shí)溝通并安排加急服務(wù)
1、GB/T4586-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管 第Ⅳ章第10條
2、JESD51-14-2010 半導(dǎo)體器件結(jié)到外殼熱阻瞬態(tài)雙界面測(cè)試方法
3、GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件 分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 6.3.3
4、GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 1071
5、GB/T 6571-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件 第3部分:信號(hào)(包括開關(guān))和調(diào)整二極管 第Ⅳ章第1節(jié)4.2.3,4.2.4
6、GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 108
7、MIL-STD- 750F 半導(dǎo)體器件的試驗(yàn)方法 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法 MIL-STD-750F
8、 GB/T 29332-201 半導(dǎo)體器件 分立器件第9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT) GB/T 29332-2012
9、MIL-STD-750F 半導(dǎo)體器件的試驗(yàn)方法 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法 3472.2
1、 入駐天貓、京東等電商平臺(tái)。
2、 進(jìn)入大型超市或賣場(chǎng)。
3、 招投標(biāo)。
4、 工程驗(yàn)收。
5、 宣傳用報(bào)告。
6、 供應(yīng)商要求。
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