簡介:咨詢光耦合器檢驗服務(wù),上百檢網(wǎng)。我們會為您安排光耦合器檢驗工程師對接,溝通光耦合器檢驗項目、標準、周期等,待方案確認后,即可開始樣品檢測,出具光耦合器檢驗報告真實有效,常規(guī)周期在3-15個工作日,特殊項目需在方案制定時詳細確認,歡迎咨詢。
發(fā)布時間:2024-07-15
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檢測周期:常規(guī)3-15個工作日,特殊樣品除外,在可行范圍內(nèi)可安排加急。
報告樣式:紙質(zhì)、電子版、中英文均可。
反向擊穿電壓(二極管),反向電流(二極管),正向電壓(輸入二極管),正向電流(二極管),輸出截止電流,集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓,集電極-發(fā)射極飽和電壓,X射線檢查,內(nèi)部氣體成份分析,內(nèi)部目檢,剪切強度,外部目檢,密封,掃描電子顯微鏡(SEM)檢查,粒子碰撞噪聲檢測(PIND),鍵合強度,掃描電子顯微鏡(SEM)檢查,電流傳輸比,集電極-發(fā)射極擊穿電壓,正向電壓,邏輯低電壓水平,反向電流,發(fā)射極-基極擊穿電壓,發(fā)射極-集電極擊穿電壓,集電極-發(fā)射極截止電流,集電極-基極擊穿電壓,集電極-基極截止電流,粒子碰撞噪聲檢測(PIND),外觀檢查,高溫試驗,回波損耗,高低溫循環(huán)試驗,低溫試驗,正向壓降,反向截止電流,飽和電壓,反向擊穿電壓
1、咨詢工程師,提交檢測需求。
2、送樣/郵遞樣品。
3、免費初檢,進行報價。
4、簽訂合同和保密協(xié)議。
5、進行方案定制、實驗。
6、出具實驗結(jié)果和檢測報告。
1、SJ2215.2-1982 半導(dǎo)體光耦合器(二極管)正向壓降的測試方法SJ 2215.2-1982
2、GB/T 15651.3-2003 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測試方法 5.1
3、GJB 4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析方法 1201
4、GB/T 4587-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994
5、GB 12565-1990 半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 表D1
6、SJ2215.8-1982 半導(dǎo)體光耦合器輸出飽和壓降的測試方法SJ 2215.8-1982
7、GJB4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析 工作項目1201第2.7條
8、GB 12565-1990 半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 GB 12565-1990
9、YD/T 1117-2001 全光纖型分支器件技術(shù)條件 YD/T 1117-2001
10、GB 12565-1990 半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 附錄D表D1
11、GJB 128A-97 半導(dǎo)體分立器件試驗方法 方法 2076
12、SJ2215.9-1982 半導(dǎo)體光耦合器(三極管)反向截止電流的測試方法 SJ 2215.9-1982
13、GB/T 6571-1995 半導(dǎo)體器件分立器件第3部分:信號(包括開關(guān))和調(diào)整二極管 第IV第1節(jié)1
14、SJ/T 2215-2015 半導(dǎo)體光耦合器測試方法 SJ/T2215-2015
15、GB 12565-1990 半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范 GB 12565-1990
16、GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 方法 2018.1
17、GB/T 15651.3-2003 半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測試方法 GB/T 15651.3-2003
18、SJ2215.7-1982 半導(dǎo)體光耦合器集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓的測試方法SJ 2215.7-1982
19、SJ2215.4-1982 半導(dǎo)體光耦合器(二極管)反向電流的測試方法 SJ 2215.4-1982
20、YD/T1117-2001 全光纖型分支器件技術(shù)條件
1、項目招投標:CMA/CNAS資質(zhì)報告;
2、上線電商平臺入駐:質(zhì)檢報告各大電商平臺認可;
3、用作銷售報告:出具具有法律效應(yīng)的檢測報告,讓消費者更放心;
4、論文及科研:提供專業(yè)的個性化檢測需求;
5、司法服務(wù):提供科學(xué)、公正、準確的檢測數(shù)據(jù);
6、工業(yè)問題診斷:驗證工業(yè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)問題排查和修正;
關(guān)于光耦合器檢驗檢測內(nèi)容就介紹到這里。如還有其他疑問,歡迎致電咨詢,我們將竭誠為您服務(wù)。
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