在找密封半導體集成電路試驗機構？百檢網(wǎng)為您提供密封半導體集成電路試驗服務，專業(yè)工程師對接確認項目、標準后制定方案，包括密封半導體集成電路試驗周期、報價、樣品等，確認無誤后安排寄樣檢測，密封半導體集成電路試驗常規(guī)周期3-15個工作日，歡迎咨詢。

報告資質：CNAS、CMA、CAL

報告樣式：中英文均可

報告周期：常規(guī)3-15個工作日，特殊樣品項目除外。

密封半導體集成電路試驗項目：

X射線檢查,內部氣體成份分析,內部目檢,剪切強度,外部目檢,密封,掃描電子顯微鏡(SEM)檢查,粒子碰撞噪聲檢測(PIND),鍵合強度,掃描電子顯微鏡（SEM）檢查,粒子碰撞噪聲檢測（PIND）,粒子碰撞噪聲檢測,掃描電子顯微鏡檢查

密封半導體集成電路試驗流程：

1、百檢客服確認檢測需求（樣品、項目、報告用途等）

2、安排對應工程師對接服務。

3、確認報價，簽訂合同，安排寄樣檢測。

4、實驗室接收樣品，根據(jù)需求開始檢測。

5、完成檢測，出具檢測報告。

6、售后服務。

密封半導體集成電路試驗標準：

1、GJB 4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析方法 1101

2、GJB4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析方法 1101/2.3

3、GJB4027A-2006，2.10 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

4、軍用電子元器件破壞性物理分析方法GJB4027A-2006工作項目1101第2.2條 外部目檢

5、GJB4027A-2006，2.2 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

6、GJB4027A-2006，2.3 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

7、GJB4027A-2006，2.4 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

8、GJB4027A-2006，2.5 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

9、GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 方法 2010.1、方法2013

10、GJB4027A-2006，2.6 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

11、GJB548B-2005 半導體分立器件試驗方法

12、GJB4027A-2006，2.7 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

13、GJB4027A-2006，2.8 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

14、GJB4027A-2006，2.9 軍用電子元器件破壞性物理分析方法

15、軍用電子元器件破壞性物理分析方法GJB4027A-2006工作項目1101第2.7條 內部目檢

16、軍用電子元器件破壞性物理分析方法GJB4027A-2006工作項目1101第2.5條 密封

17、軍用電子元器件破壞性物理分析方法GJB4027A-2006工作項目1101第2.4條 粒子碰撞噪聲檢測

密封半導體集成電路試驗報告有什么用？

銷售：出具檢測報告，提成產品競爭力。

研發(fā)：縮短研發(fā)周期，降低研發(fā)成本。

質量：判定原料質量，減少生產風險。

診斷：找出問題根源，改善產品質量。

科研：定制完整方案，提供原始數(shù)據(jù)。

競標：報告認可度高，提高競標成功率。

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