咨詢半導體器件檢驗服務，上百檢網(wǎng)。我們會為您安排半導體器件檢驗工程師對接，溝通半導體器件檢驗項目、標準、周期等，待方案確認后，即可開始樣品檢測，出具半導體器件檢驗報告真實有效，常規(guī)周期在3-15個工作日，特殊項目需在方案制定時詳細確認，歡迎咨詢。

檢測樣品：紡織品、化妝品、食品、農(nóng)產(chǎn)品、絕緣工具、五金件等

報告資質(zhì)：CNAS/CMA/CAL

報告周期：常規(guī)3-15個工作日，特殊樣品、檢測項目除外。

檢測費用：根據(jù)檢測項目收費，詳情請咨詢百檢網(wǎng)。

半導體器件檢驗項目：

功率循環(huán),穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命,結(jié)-殼熱阻和結(jié)-殼瞬態(tài)熱阻抗,高溫柵極偏置(HTGB),高溫阻斷（HTRB）,X射線無損檢測,外觀及機械檢查,密封,引出端強度,恒定加速度,機械沖擊,溫度循環(huán),熱沖擊,鹽氣（侵蝕）,老煉和壽命試驗（功率場效應晶體管）,高溫壽命（非工作）,加速度,掃頻振動,鹽霧,強加速穩(wěn)態(tài)濕熱,高溫反偏（HTRB）,高溫柵偏（HTGB）,低氣壓,鹽霧試驗,晶片剪切強度,熱阻,鍵合強度（破壞性鍵合線拉力試驗）,間歇工作壽命,高溫反偏,倒裝芯片拉脫,物理尺寸,外部目檢,半導體集成電路,半導體分立器件,膜集成電路和混合膜集成電路,恒定濕熱,高溫,高溫柵極偏置,靜電放電敏感度/機器模型,靜電放電敏感度/人體模型,聲學掃描,密封性試驗,粒子碰撞噪聲檢測試驗,PCT高壓高溫試驗,低溫試驗,溫度循環(huán)測試,穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命測試,高溫試驗,高溫貯存壽命測試,低溫儲存試驗,功率溫度循環(huán)試驗,加速耐濕性無偏置高加速溫度濕度應力測試,彎曲測試,振動試驗,機械沖擊試驗,溫度、偏壓和工作壽命試驗,濕度敏感等級,閂鎖效應,靜電放電測試（人體模型）,靜電放電測試（帶電器件模型）,預處理,高加速溫度濕度應力測試,高壓蒸煮試驗,X射線檢查,內(nèi)部目檢,外部檢查,密封性檢查,粒子碰撞噪聲檢測,外觀和尺寸檢查,錫焊,正弦振動,沖擊,鍵合強度試驗,芯片剪切強度試驗,溫度變化,貯存,循環(huán)濕熱,穩(wěn)態(tài)濕熱,溫度/濕度組合循環(huán)試驗,熱間斷試驗,塑料封裝器件的易燃性試驗,標志的耐久性,溫度、偏壓和工作壽命,高加速溫濕度應力試驗,溫濕度偏壓試驗,加速抗?jié)?無偏壓高加速溫濕度應力,無偏置電壓高壓蒸煮,冷熱沖擊,高溫儲存壽命,低溫儲存壽命,可焊性,跌落,振動,芯片強度測試,板彎測試,人體模型靜電放電測試,充電器件模型靜電放電測試,集成電路閂鎖測試,耐焊接熱,絕緣測試,功率循環(huán)(PCsec),功率循環(huán)(PCmin),高溫阻斷,耐濕,老煉（二極管、整流管和穩(wěn)壓管）,共發(fā)射極靜態(tài)電流傳輸比HFE,基極--發(fā)射極飽和電壓VBEs,集電極--發(fā)射極飽和電壓VCEs,集電極--基極截止電流ICBO,發(fā)射極--基極截止電流IEBO,集電極--發(fā)射極截止電流ICEO,集電極--基極擊穿電壓BVCBO,發(fā)射極--基極擊穿電壓BVEBO,集電極--發(fā)射極擊穿電壓BVCEO,漏-源短路漏極電流IDss,漏--源短路時的柵極漏電流IGss,漏--源擊穿電壓BVGs,柵極閾值電壓VGs（th）,靜態(tài)漏--源通態(tài)電阻RDs（on）（Vds）,小信號短路正向跨導gfs,漏極電流Id（on）,正向電壓VF,反向電流IR,擊穿電壓VBR,總電容Ctot,正向電壓VZ,結(jié)電容Cj,擊穿電壓VBR,正向壓降VF,反向擊穿電壓VR,反向漏電流IR,集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEs,發(fā)射極-集電極擊穿電壓VECO

半導體器件檢驗流程：

1、咨詢工程師，提交檢測需求。

2、送樣/郵遞樣品。

3、免費初檢，進行報價。

4、簽訂合同和保密協(xié)議。

5、進行方案定制、實驗。

6、出具實驗結(jié)果和檢測報告。

半導體器件檢驗標準：

1、JESD 22-B111A:2016 手持式電子元器件板級跌落試驗方法 JESD22-B111A:2016

2、JESD 22-A119A:2015 低溫儲存壽命測試 JESD22-A119A:2015

3、JESD22-A102E:2015 加速抗?jié)裥?無偏置高壓蒸煮試驗

4、GB/T 2423.50-2012 環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Cy 恒定濕熱 主要用于元件的加速試驗 4

5、GB/T12750-2006 半導體器件 集成電路 第11部分：半導體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)

6、GB/T 4023-2015 半導體分立器件 第2部分：整流二極管 GB/T 4023-2015

7、BS EN 60749-35:2006 半導體器件-機械和氣候試驗方法-第35部分：塑封電子元器件的聲學掃描

8、JESD51-14 (2010) 基于瞬態(tài)雙界面法的單一路徑散熱半導體器件結(jié)殼熱阻測試方法

9、JEDEC JESD22-B109B:2014 倒裝芯片拉脫

10、IEC 60749-23:2004+A1:2011 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命 5.2.3.4

11、JESD22-A108F:2017 溫度、偏壓、壽命測試

12、GB/T 4937-1995,IEC 60749-8-2002 半導體器件機械和氣候試驗方法 第III篇 7

13、JEDEC JESD22-B100B：2016 物理尺寸

14、JESD22-A113I:2020 可靠性測試前非氣密性表面貼裝器件的預處理

15、GB/T 4937.12-2018 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第12部分：掃頻振動

16、IEC 60749-23:2004 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命

17、JESD 22-A104F:2020 溫度循環(huán) JESD22-A104F:2020

18、JEDEC JESD22-B101C:2015 外部目檢

19、JESD 22A101D:2015 穩(wěn)態(tài)溫度濕度偏壓壽命試驗 JESD22A101D:2015

20、IEC 60749-34 Ed. 2.0 :2010 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第34部分：功率循環(huán)

半導體器件檢驗報告有什么用？

銷售：出具檢測報告，提成產(chǎn)品競爭力。

研發(fā)：縮短研發(fā)周期，降低研發(fā)成本。

質(zhì)量：判定原料質(zhì)量，減少生產(chǎn)風險。

診斷：找出問題根源，改善產(chǎn)品質(zhì)量。

科研：定制完整方案，提供原始數(shù)據(jù)。

競標：報告認可度高，提高競標成功率。

關于半導體器件檢驗檢測內(nèi)容就介紹到這里。百檢網(wǎng)第三方檢測機構(gòu)期待與您的合作，詳情請聯(lián)系百檢客服。