咨詢半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)服務(wù)，上百檢網(wǎng)。我們會(huì)為您安排半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)工程師對(duì)接，溝通半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)項(xiàng)目、標(biāo)準(zhǔn)、周期等，待方案確認(rèn)后，即可開始樣品檢測(cè)，出具半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)報(bào)告真實(shí)有效，常規(guī)周期在3-15個(gè)工作日，特殊項(xiàng)目需在方案制定時(shí)詳細(xì)確認(rèn)，歡迎咨詢。

報(bào)告資質(zhì)：CNAS、CMA、CAL

報(bào)告樣式：中英文均可

報(bào)告周期：常規(guī)3-15個(gè)工作日，特殊樣品項(xiàng)目除外。

半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)項(xiàng)目：

老煉,X射線照相,內(nèi)部目檢和結(jié)構(gòu)檢查,內(nèi)部目檢,反偏老煉,外形尺寸,外部目檢,密封 粗檢漏,密封 細(xì)檢漏,恒定加速度,溫度循環(huán),粒子碰撞噪聲檢測(cè),耐溶劑性,芯片剪切強(qiáng)度,超聲檢查,鍵合強(qiáng)度,高溫貯存,SEM檢查,沖 擊,變頻振動(dòng),可焊性,外引線彎曲,外引線拉力,引線牢固性,掃頻振動(dòng),振動(dòng),機(jī)械沖擊,熱沖擊,鹽霧,碰 撞,穩(wěn)定性烘焙,粗檢漏,細(xì)檢漏,老煉試驗(yàn),耐濕,芯片剪切力強(qiáng)度,非破壞鍵合拉力試驗(yàn),顆粒碰撞試驗(yàn),高溫存貯,粒子碰撞噪聲,老練,反偏老練,密封 細(xì)檢,密封 粗檢,ESDS,內(nèi)部水汽含量,引線涂覆粘附強(qiáng)度,封蓋扭矩,功能驗(yàn)證（三溫）,靜態(tài)特性測(cè)試,動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試,尺寸,溫度快速變化,強(qiáng)加速濕熱,電測(cè)試,電耐久性,環(huán)境溫度下電特性,最高和最低工作溫度下電特性,引出端強(qiáng)度,穩(wěn)態(tài)濕熱,穩(wěn)態(tài)加速度,標(biāo)志耐久性,高溫穩(wěn)定,密封,老練前電測(cè)試,老練后電測(cè)試,芯片剪切或拉力,高壓蒸煮,耐焊接熱,強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱(HAST),預(yù)處理,易燃性,X射線檢查,內(nèi)部檢查,外部檢查,密封性試驗(yàn)（檢漏）,掃描電子顯微鏡分析,粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn),粒子碰撞噪聲檢測(cè)（PIND）,鍵合強(qiáng)度測(cè)試,元素分析,長(zhǎng)度,厚度,封裝結(jié)到外殼熱阻,非功能測(cè)試 （補(bǔ)充電測(cè)試）,內(nèi)部目檢（單片）,動(dòng)態(tài)電源電流Ia,熱性能檢測(cè),穩(wěn)態(tài)壽命,輸入低電平電流IIL,輸入鉗位電壓VIK,輸入高電平電流IIH,輸出低電平電壓VOL,輸出低電平電流IOL

半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)流程：

1. 樣品提供：客戶提供待檢測(cè)樣品，并擬定檢測(cè)方案;

2. 樣品接收：實(shí)驗(yàn)室收到樣品后進(jìn)行核查并錄入樣品信息;

3. 樣品處理：將樣品進(jìn)行必要的前處理，確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性;

4. 檢測(cè)分析：利用適當(dāng)?shù)奈锢?、化學(xué)或生物學(xué)方法對(duì)樣品進(jìn)行檢測(cè)，保證檢測(cè)的覆蓋率和準(zhǔn)確度;

5. 結(jié)果報(bào)告：按照檢測(cè)方案，百檢網(wǎng)將檢測(cè)結(jié)果用簡(jiǎn)要、準(zhǔn)確的方式告知客戶并提供詳細(xì)的檢測(cè)報(bào)告。

半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：

1、GB/T 12750-2006, IEC 60748-11:1990 半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路) 表4 C組 C3

2、JESD51-14 一維傳熱路徑下半導(dǎo)體器件結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測(cè)試法

3、GB/T 20307-2006 納米級(jí)長(zhǎng)度的掃描電鏡測(cè)量方法通則

4、GB/T 31563-2015 金屬覆蓋層厚度測(cè)量掃描電鏡法

5、GJB 3233-98 半導(dǎo)體集成電路失效分析程序和方法 5.2.4

6、QZJ840615 《電子元器件“七?！奔夹g(shù)條件》 /方法3.7.5

7、GB/T 26533-2011 俄歇電子能譜分析方法通則

8、SJ/T 10457-93 俄歇電子能譜術(shù)深度剖析標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)則

9、GJB7400-2011 合格制造廠認(rèn)證用半導(dǎo)體集成電路通用規(guī)范 表1B、表2

10、GB/T 16594-2008 微米級(jí)長(zhǎng)度的掃描電鏡測(cè)量方法通則

11、　 GJB3233-1998 　 半導(dǎo)體集成電路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.4

12、SJ/T 10458-93 俄歇電子能譜和X射線光電子能譜術(shù)的樣品處理標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)則

13、GJB 548B-2005 《微電子器件試驗(yàn)方法和程序》 /方法 2018.1

14、GJB548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 方法1015

15、JESD51-1 集成電路的熱測(cè)試方法-電學(xué)測(cè)試方法（適用于單片半導(dǎo)體器件）

16、SJ/T10741-2000 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理

17、GJB597B-2012 半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范 附錄B 表B.1

18、GB/T 14862-1993 半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測(cè)試方法

19、　 GJB3233-1998 　 半導(dǎo)體集成電路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.8

半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)報(bào)告有什么用？

產(chǎn)品檢測(cè)報(bào)告主要反映了產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)是否達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)中的合格要求，能夠?yàn)槠髽I(yè)產(chǎn)品研發(fā)、投標(biāo)、電商平臺(tái)上架、商超入駐、學(xué)?？蒲刑峁┛陀^的參考。

關(guān)于半導(dǎo)體集成電路檢驗(yàn)檢測(cè)內(nèi)容就介紹到這里。百檢網(wǎng)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)期待與您的合作，詳情請(qǐng)聯(lián)系百檢客服。