簡介:咨詢場效應管檢測服務,上百檢網。我們會為您安排場效應管檢測工程師對接,溝通場效應管檢測項目、標準、周期等,待方案確認后,即可開始樣品檢測,出具場效應管檢測報告真實有效,常規(guī)周期在3-15個工作日,特殊項目需在方案制定時詳細確認,歡迎咨詢。
發(fā)布時間:2024-03-06
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檢測周期:常規(guī)3-15個工作日,可加急(特殊樣品除外)
報告樣式:電子版、紙質,中、英文均可。
報告資質:CMA、CNAS
柵-源短路時的漏極電流,柵-源閾值電壓,柵極截止電流,靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻,漏-源擊穿電壓,柵-源截止電流,漏-源截止電流,漏-源通態(tài)電阻,跨導,反向柵源漏電流(IGSSR),柵源閾值電壓(VGS(To)),正向柵源漏電流(IGSSF),漏極截止電流(IDSS),漏源擊穿電壓(V(BR)DSS),漏源通態(tài)電阻(rDS(on)),柵-源截止電壓(A和B型)(VGSoff),柵-源閾值電壓(C型)(VGS(TO)),漏極截止電流,結柵型(A型)的柵極截止電流,絕緣柵型(B和C型)的柵極漏泄電流,通態(tài)漏-源電阻(rds(on)),柵-源閾值電壓 VGS(TO),柵極截止電流或柵極漏泄電流(漏-源短路)IGSS,正向跨導GFS,漏極-源極擊穿電壓 BVDSS,漏極電流,靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻 RDS(on),小信號短路正向跨導gfs,柵--源擊穿電壓BVGS,漏--源斷態(tài)電阻RDSon,漏--源短路時的柵極截止電流IGSS,零柵壓時的漏極電流IDSS,柵源漏電,漏源擊穿電壓BVDSS,漏源漏電,通態(tài)漏源電阻rds(on),閾值電壓VT,柵源閾值電壓,漏源通態(tài)電壓,小信號短路正向跨導gfs,柵-源截止電壓VGS(off),柵-源閾值電壓VGS(TO),柵極截止(漏泄)電流IGSS,漏極電流IDSS,靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻RDS,正向柵源漏電流(I,反向柵源漏電流(I,漏源通態(tài)電阻(r,柵源閾值電壓(V,柵極截止電流IGSS,柵源 截止電壓VGSoff,漏-源通態(tài)電壓VDS(ON),漏-源通態(tài)電阻RDS(ON),反向柵源漏電流,正向柵源漏電流,漏源擊穿電壓,漏源通態(tài)電阻,零柵壓漏極電流,柵-源閾值電壓VGS(TO),靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻 RDS(on),柵-源截止電壓 VGS(OFF),柵-源閾值電壓 VGS(TO),柵極截止電流或柵極漏泄電流(漏-源短路)IGSS,正向跨導GFS,漏極-源極擊穿電壓BVDSS,靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻 RDS(on),小信號短路正向跨導gfs,柵--源擊穿電壓BVGS,漏--源短路時的柵極截止電流IGSS,零柵壓時的漏極電流IDSS,漏--源斷態(tài)電阻RDSon,零柵壓時的漏極電流IDSS,柵--源擊穿電壓BVGS,漏--源短路時的柵極截止電流IGSS,漏-源通態(tài)電流,漏-源通態(tài)電壓,漏-源擊穿電壓,漏極電流 IDSS,柵-源截止電壓,小信號短路正向跨導,柵極截止(漏泄)電流 IGSS,靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻 RDS,漏極截止電流(I,正向傳輸比,漏極電流(A、B 和C型)ID,柵-源截止電壓(A和B型)VGSoff,靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻rDSon,漏-源通態(tài)電壓VDSon和斷態(tài)電阻rDSoff,靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻 RDS(on),正向跨導GFS,柵-源閾值電壓 VGS(TO)
1、致電131-4818-0553咨詢百檢客服,確認樣品及需求。
2、客服安排工程師對接,根據需求制定檢測方案。
3、確認方案、報價后簽訂合同,安排寄樣檢測。
4、實驗室根據需求,對樣品開展檢測工作。
5、檢測結束,出具樣品檢測報告。
6、如需加急請?zhí)崆芭c工程師或客服進行溝通。
1、GB/T4586-19944.15 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管
2、GB/T4586-1994 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管 4.1
3、GB/T 4586-1994/Ⅳ10 跨導
4、GB/T 4586-1994 半導體器件分立器件第8部分:場效應晶體管 第Ⅳ章
5、GJB 128A-1997 《半導體分立器件試驗方法》 方法3407
6、GB/T 4586-1994/Ⅳ15 漏源通態(tài)電壓
7、GJB 128A-1997 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997
8、GB/T 4586-1994/Ⅳ2 反向柵源漏電流
9、GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005
10、GB/T 4586-1994/Ⅳ3 漏極電流
11、GJB548B-2005/方法1022 柵源閾值電壓
12、GJB548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 方法1022
13、GJB128A-1997/方法3407 漏源擊穿電壓
14、GB/T 4586-1994 半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994
15、GB/T 4586-1994/Ⅳ6 柵源閾值電壓
16、GB/T4586-19944.1 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管
17、GJB128A-1997 半導體分立器件試驗方法 方法3407
18、GB/T4586-19944.3 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管
19、GB/T 4586-94 半導體器件 分立器件第8部分:場效應晶體管 GB/T 4586-94
20、GB/T4586-19944.4 半導體器件分立器件 第8部分:場效應晶體管
銷售:出具檢測報告,提成產品競爭力。
研發(fā):縮短研發(fā)周期,降低研發(fā)成本。
質量:判定原料質量,減少生產風險。
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