咨詢半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)服務(wù)，上百檢網(wǎng)。我們會(huì)為您安排半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)工程師對(duì)接，溝通半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)項(xiàng)目、標(biāo)準(zhǔn)、周期等，待方案確認(rèn)后，即可開始樣品檢測(cè)，出具半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)報(bào)告真實(shí)有效，常規(guī)周期在3-15個(gè)工作日，特殊項(xiàng)目需在方案制定時(shí)詳細(xì)確認(rèn)，歡迎咨詢。

報(bào)告資質(zhì)：CNAS、CMA、CAL

報(bào)告樣式：中英文均可

報(bào)告周期：常規(guī)3-15個(gè)工作日，特殊樣品項(xiàng)目除外。

半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)項(xiàng)目：

分?jǐn)嗄芰︱?yàn)證,溫升和耗散功率,約定不熔斷電流,約定熔斷電流,過載能力驗(yàn)證,額定電流驗(yàn)證,標(biāo)志,尺寸,電阻,熔斷器支持件的布置,絕緣性能驗(yàn)證,隔離適用性驗(yàn)證,溫升與耗散功率,約定不熔斷電流與約定熔斷電流驗(yàn)證,熔斷體的額定電流驗(yàn)證,時(shí)間-電流特性和門限驗(yàn)證,過載,約定電纜過載保護(hù),指示裝置和撞擊器動(dòng)作,截?cái)嚯娏魈匦则?yàn)證,I²t特性和過電流選擇性驗(yàn)證,外殼防護(hù)等級(jí)驗(yàn)證,耐熱性驗(yàn)證,觸頭不變壞驗(yàn)證,機(jī)械強(qiáng)度,耐應(yīng)力腐蝕龜裂驗(yàn)證,耐非正常的熱和火驗(yàn)證,耐銹性驗(yàn)證,耐非正常熱和火,耐應(yīng)力腐蝕龜裂,I2t特性和過電流選擇性驗(yàn)證,機(jī)械強(qiáng)度試驗(yàn),動(dòng)作驗(yàn)證,溫升與耗散功率驗(yàn)證,絕緣性能和隔離適用性驗(yàn)證,耐銹性,I²t特性和過電流選擇性驗(yàn)證,完整試驗(yàn)（電阻）,撞擊器的動(dòng)作,熔斷器的尺寸,約定電纜過載試驗(yàn),過載能力的驗(yàn)證,額定電流的驗(yàn)證,No.12 分?jǐn)嗄芰蛣?dòng)作特性,No.13 “gR”和“gS”分?jǐn)嗄芰蛣?dòng)作特性,No.11 分?jǐn)嗄芰蛣?dòng)作特性,N0.6動(dòng)作特性試驗(yàn),No.12a “aR”分?jǐn)嗄芰蛣?dòng)作特性,No.10 動(dòng)作特性試驗(yàn),No.1 分?jǐn)嗄芰?No.2a “aR”分?jǐn)嗄芰?N0.7動(dòng)作特性試驗(yàn),N0.8動(dòng)作特性試驗(yàn),No.2 分?jǐn)嗄芰?N0.9 動(dòng)作特性試驗(yàn),No.5 “gR”和“gS”分?jǐn)嗄芰?“gG”,“gM”，“gD”，和“gN”熔斷體弧前I2t值和降低電壓下的熔斷I2t值的計(jì)算,短路功率因數(shù)的測(cè)量,截?cái)嚯娏?時(shí)間特性的計(jì)算,具有連接外部銅導(dǎo)線的無螺紋型接線端子的熔斷器底座的特殊要求,截?cái)嚯娏魈匦?動(dòng)作,耐熱性,機(jī)械設(shè)計(jì),額定電流,觸頭不變壞,熔斷體的過電流選擇性,溫升、耗散功率,I 2t特性和過電流選擇性驗(yàn)證,絕緣性能和隔離適用性,峰值耐受電流,防電擊保護(hù),機(jī)械選擇性試驗(yàn),總則,防護(hù)等級(jí),電磁兼容性,門限,No2a “aR”分?jǐn)嗄芰?No.21 分?jǐn)嗄芰蛣?dòng)作特性,半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體,時(shí)間-電流特性,約定電纜過載保護(hù)試驗(yàn),指示器裝置和撞擊器的動(dòng)作

半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)流程：

1、聯(lián)系百檢客服，提出檢測(cè)需求。

2、與工程師對(duì)接，確認(rèn)方案報(bào)價(jià)。

3、簽訂合同，寄樣檢測(cè)。

4、實(shí)驗(yàn)室完成檢測(cè)，出具檢測(cè)報(bào)告。

5、售后服務(wù)。

6、如需加急，提前溝通。

半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

1、GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 /8.7/8.7

2、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 8.5

3、GB/T 13539.4-2016 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016

4、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2006 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2006(ed4.0) IEC 60269-4:2009(ed5.0) EN 60269-4:2009 IEC 60269-4:2012(ed5.1) IEC 60269-4 AMD 2-2016 EN 60269-4-2012 EN 60269-4:2009+A2:2016

5、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

6、GB/T 13539.4-2016 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

7、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2006(ed4.0)IEC60269-4:2009(ed5.0)EN60269-4:2009IEC60269-4:2012(ed5.1)IEC60269-4AMD2:2016EN60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

8、GB/T 13539.1-2015IEC 60269-1, 4.0)IEC 60269-1, 4.1)IEC 60269-1, 2014EN 60269-1-2014, GB/T13539.4-2016IEC 60269-4, 4.0)IEC 60269-4, 5.0)EN 60269-4, 2009IEC 60269-4, 5.1)IEC 60269-4 AMD 2-2016EN 60269-4-2012 低壓熔斷器第1部分：基本要求GB/T 13539.1-2015IEC 60269-1:2006(ed4.0)IEC 60269-1:2009(ed4.1)IEC 60269-1:2014EN 60269-1-2014低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2006(ed4.0)IEC 60269-4:2009(ed5.0)EN 60269-4:2009IEC 60269-4:2012(ed5.1)IEC 60269-4 AMD 2-2016EN 60269-4-2012

9、GB/T13539.4-2016 IEC 60269-4:2006(ed4.0) IEC 60269-4:2009(ed5.0) EN 60269-4:2009 IEC 60269-4:2012(ed5.1) IEC 60269-4 AMD 2-2016 EN 60269-4-2012 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

10、GB/T13539.1-2015IEC60269-1:2006(ed4.0)IEC60269-1:2009(ed4.1)IEC60269-1:2014EN60269-1-2014 低壓熔斷器 第1部分：基本要求低。壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

11、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012

12、GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016/IEC 60269-4(Ed 5.0):2012

13、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

14、GB/T 13539.4-2016IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分: 半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

15、GB/T13539.4-2016IEC60269-4:2006EN60269-4:2009EN60269-4:2012IEC60269-4:2012(ed5.1)IEC60269-4:2009/AMD2:2016 低壓熔斷器 第4部分:半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

16、GB/T13539.1-2015IEC60269-1:2006(ed4.0)IEC60269-1:2009(ed4.1)IEC60269-1:2014EN60269-1:2014 低壓熔斷器 第1部分：基本要求低。壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

17、IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

18、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求 GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2009+A1:2012+A2:2016

19、GB/T 13539.4-2016 IEC 60269-4:2012 低壓熔斷器 第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)報(bào)告有什么用？

1、 入駐天貓、京東等電商平臺(tái)。

2、 進(jìn)入大型超市或賣場(chǎng)。

3、 招投標(biāo)。

4、 工程驗(yàn)收。

5、 宣傳用報(bào)告。

6、 供應(yīng)商要求。

關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體檢測(cè)檢測(cè)內(nèi)容就介紹到這里。如還有其他疑問，歡迎致電咨詢，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)。