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發(fā)布時(shí)間:2023-12-04
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檢測(cè)費(fèi)用:電議
檢測(cè)周期:常規(guī)3-15個(gè)工作日,特殊情況除外。
報(bào)告資質(zhì):CMA、CNAS等
報(bào)告樣式:中英文、紙質(zhì)版、電子版。
少數(shù)載流子壽命,氧含量,表面金屬,碳含量,晶體完整性,直徑,晶向及晶向偏離度,徑向電阻率變化,電阻率,導(dǎo)電類型,晶向,直徑及允許誤差,彎曲度,翹曲度,氧化誘生缺陷,表面質(zhì)量,厚度和總厚度變化,厚度與總厚度變化,微管密度,晶型,表面粗糙度,晶向及晶向離度,硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片檢定校準(zhǔn),主參考面晶向
1、致電131-4818-0553咨詢百檢客服,確認(rèn)樣品及需求。
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5、檢測(cè)結(jié)束,出具樣品檢測(cè)報(bào)告。
6、如需加急請(qǐng)?zhí)崆芭c工程師或客服進(jìn)行溝通。
1、GB/T 12965-2005 《硅單晶切割片和研磨片》
2、GB/T 1554-2009 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法
3、SJ/T 11503-2015 碳化硅單晶拋光片表面粗糙度測(cè)試方法 5. 原子力顯微鏡法
4、GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法
5、GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測(cè)定方法
6、GB/T 25076-2018 太陽(yáng)電池用硅單晶 6.2
7、GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法 GB/T 30867-2014
8、SEMI PV43-0113 太陽(yáng)能電池用硅材料中氧含量的測(cè)試 惰性氣體熔融紅外法
9、JJF 1760 硅單晶電阻率標(biāo)準(zhǔn)樣片校準(zhǔn)規(guī)范
10、GB/T12962-2015 硅單晶
11、GB/T 14140-2009 硅片直徑測(cè)量方法
12、GB/T12965-2018 硅單晶切割片和研磨片
13、GB/T 1550-2018 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法
14、SJ/T 11503-2015 碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測(cè)試方法 SJ/T 11503-2015
15、GB/T 31351-2014 碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法
16、GB/T 12964-2003 直徑
17、GB/T12964-2018 硅單晶拋光片
18、SJ/T11504-2015 碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量的測(cè)試方法
19、GB/T 12962-2015 硅單晶
20、GB/T 12965-2018 硅單晶切割片和研磨片
1、公司內(nèi)部產(chǎn)品研發(fā)使用。
2、改善產(chǎn)品質(zhì)量。
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4、銷售使用(商超、電商、投標(biāo)等)。
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