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簡(jiǎn)介:在找鋁硅系測(cè)試機(jī)構(gòu)?百檢網(wǎng)為您提供鋁硅系測(cè)試服務(wù),專(zhuān)業(yè)工程師對(duì)接確認(rèn)項(xiàng)目、標(biāo)準(zhǔn)后制定方案,包括鋁硅系測(cè)試周期、報(bào)價(jià)、樣品等,確認(rèn)無(wú)誤后安排寄樣檢測(cè),鋁硅系測(cè)試常規(guī)周期3-15個(gè)工作日,歡迎咨詢。
發(fā)布時(shí)間:2023-11-23
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報(bào)告資質(zhì):CNAS、CMA、CAL
報(bào)告樣式:中英文均可
報(bào)告周期:常規(guī)3-15個(gè)工作日,特殊樣品項(xiàng)目除外。
三氧化二鋁,二氧化硅,二氧化鈦,氧化鈣,三氧化二鐵,氧化鋁,三氧化二鋁、氧化鈣、三氧化二鐵、二氧化硅、氧化鎂、氧化鈉、氧化鉀、五氧化二磷、一氧化錳,五氧化二磷,氧化鈉,氧化鉀,氧化錳,氧化鎂,灼燒減量,一氧化錳,化學(xué)成分,氧化鉀和氧化鈉,氧化鐵,LOI、SiO2、Al2O3、Fe2O3、TiO2、CaO、MgO、K2O、Na2O、MnO、P2O5,二氧化硅、氧化鐵、二氧化鈦、氧化鈣、氧化鎂、一氧化錳、五氧化二磷、三氧化二鉻,氧化鉀、氧化鈉,K2O、Na2O,氧化鉀、氧化鈉、二氧化硅、氧化鋁、灼燒減量、三氧化二鐵、氧化錳、氧化鈣、氧化鎂、二氧化鈦、五氧化二磷,三氧化二鉻,氧化鋯,氧化鈦,灼燒失量,CaO,MgO,P2O5,TiO2,灼減,Al2O3,Fe2O3,K2O,Na2O,SiO2,氧化鎂量,MnO,SiO2,LOI,TiO2,Al2O3,P2O5,Na2O,K2O,Fe2O3,二氧化硅、三氧化二鋁、三氧化二鐵、氧化鎂、氧化鈣,鐵,磷,錳,硅,鈦,鋁,二氧化硅、氧化鐵、二氧化鈦、氧化鈣、氧化鎂、氧化鉀、氧化鈉、一氧化錳、五氧化二磷、氧化鋯、三氧化二鉻,燒失量
1、咨詢工程師,提交檢測(cè)需求。
2、送樣/郵遞樣品。
3、免費(fèi)初檢,進(jìn)行報(bào)價(jià)。
4、簽訂合同和保密協(xié)議。
5、進(jìn)行方案定制、實(shí)驗(yàn)。
6、出具實(shí)驗(yàn)結(jié)果和檢測(cè)報(bào)告。
1、GB/T6900-2016(13)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
2、ISO12677-2011耐火材料X射線熒光光譜化學(xué)分析熔鑄玻璃片法
3、GB/T6900-2016(11)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
4、GB/T6900-2016(11)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法(11)二氧化鈦的測(cè)定
5、ISO21079-3:2008含氧化鋁、氧化鋯和硅石的耐火材料化學(xué)分析.包含5%~45%ZrO2的耐火材料(代替X射線熒光法).第3部分:火焰原子吸收光譜法(FAAS)和感應(yīng)耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-AES)
6、GB/T6900-2016(7)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
7、GB/T6900-2016(8)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法(8)二氧化硅的測(cè)定
8、GB/T6900-2016(9)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
9、GB/T6900-2016鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法GB/T6900-2016
10、GB/T6900-2006鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法第8條款:二氧化硅的測(cè)定8.1鉬藍(lán)光度法(≤5%);8.2解聚鉬藍(lán)光度法(5%~15%);8.3凝聚重量-鉬藍(lán)光度法(5%~95%);
11、CSM05051403-2006鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法鋁土礦-二氧化硅含量的測(cè)定硅鉬藍(lán)光度法
12、GB/T6900-2016(11.2)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
13、GB/T21114-2019耐火材料X射線熒光光譜化學(xué)分析熔鑄玻璃片法GB/T21114-2019
14、GB/T6900-2006鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
15、GB/T6901-2008硅質(zhì)耐火材料化學(xué)分析方法第13.2條款:火焰光度法(w(K2O或Na2O)>0.1%)
16、GB/T6900-2016(12)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法(12)氧化鈣的測(cè)定
17、GB/T6900-2016(10)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
18、GB/T6900-2016(10)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法(10)氧化鐵的測(cè)定
19、GB/T6900-2016(16)鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法
20、GB/T32179-2015耐火材料化學(xué)分析濕法原子吸收光譜法(AAS)和電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)的一般要求GB/T32179-2015
1、對(duì)產(chǎn)品做及時(shí)改進(jìn),保證出廠產(chǎn)品的品質(zhì)和安全性。
2、證明產(chǎn)品符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)(國(guó)標(biāo)、行標(biāo)、企標(biāo)、團(tuán)標(biāo)、外標(biāo)等),提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
3、檢測(cè)產(chǎn)品是否符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)要求,是否具有有毒有害成分。
4、進(jìn)行非標(biāo)檢測(cè),或根據(jù)現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)方法進(jìn)行檢測(cè),得到準(zhǔn)確參數(shù)用于產(chǎn)品研發(fā)。
關(guān)于鋁硅系測(cè)試檢測(cè)內(nèi)容就介紹到這里。做檢測(cè),上百檢,百檢網(wǎng)期待與您的合作。
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