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簡(jiǎn)介:咨詢功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試服務(wù),上百檢網(wǎng)。我們會(huì)為您安排功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試工程師對(duì)接,溝通功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試項(xiàng)目、標(biāo)準(zhǔn)、周期等,待方案確認(rèn)后,即可開(kāi)始樣品檢測(cè),出具功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試報(bào)告真實(shí)有效,常規(guī)周期在3-15個(gè)工作日,特殊項(xiàng)目需在方案制定時(shí)詳細(xì)確認(rèn),歡迎咨詢。
發(fā)布時(shí)間:2023-11-21
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檢測(cè)周期:常規(guī)3-15個(gè)工作日,可加急(特殊樣品除外)
報(bào)告樣式:電子版、紙質(zhì),中、英文均可。
報(bào)告資質(zhì):CMA、CNAS
人體靜電放電模式,體二極管壓降,體二極管反向恢復(fù)時(shí)間,體二極管反向恢復(fù)電荷,單脈沖雪崩能量,反向傳輸電容,開(kāi)關(guān)時(shí)間,機(jī)械靜電放電模式,柵極串聯(lián)等效電阻,柵極漏電流,柵極電荷,漏極反向電流,漏源間反向擊穿電壓,穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn),穩(wěn)態(tài)熱阻,老煉試驗(yàn),跨導(dǎo),輸入電容,輸出電容,通態(tài)電壓,通態(tài)電阻,間歇功率試驗(yàn),閾值電壓,開(kāi)通延遲時(shí)間td(on),上升時(shí)間tr,關(guān)斷延遲時(shí)間td(off),下降時(shí)間tf,漏-源擊穿電壓V(BR)DS
1. 樣品提供:客戶提供待檢測(cè)樣品,并擬定檢測(cè)方案;
2. 樣品接收:實(shí)驗(yàn)室收到樣品后進(jìn)行核查并錄入樣品信息;
3. 樣品處理:將樣品進(jìn)行必要的前處理,確保檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性;
4. 檢測(cè)分析:利用適當(dāng)?shù)奈锢怼⒒瘜W(xué)或生物學(xué)方法對(duì)樣品進(jìn)行檢測(cè),保證檢測(cè)的覆蓋率和準(zhǔn)確度;
5. 結(jié)果報(bào)告:按照檢測(cè)方案,百檢網(wǎng)將檢測(cè)結(jié)果用簡(jiǎn)要、準(zhǔn)確的方式告知客戶并提供詳細(xì)的檢測(cè)報(bào)告。
1、ANSI/ESD STM5.2-2012 器件級(jí)靜電放電靈敏度測(cè)試-機(jī)械模式
2、IEC 60747-8:2010 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010
3、JESD22-A108F:2017 溫度,反偏和操作壽命試驗(yàn)
4、IEC 60747-8:2010 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6.3.12
5、MIL-STD-750F:2012 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) 4011.4
6、JESD24-11:1996(R2002) 功率MOSFET柵極串聯(lián)等效電阻測(cè)試方法
7、GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 3472
8、GJB 128A-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997
9、MIL-STD- 750F:2012 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012
10、ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017 器件級(jí)靜電放電靈敏度測(cè)試-人體模式
產(chǎn)品檢測(cè)報(bào)告主要反映了產(chǎn)品各項(xiàng)指標(biāo)是否達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)中的合格要求,能夠?yàn)槠髽I(yè)產(chǎn)品研發(fā)、投標(biāo)、電商平臺(tái)上架、商超入駐、學(xué)??蒲刑峁┛陀^的參考。
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