微電子材料檢測在哪做？百檢網(wǎng)第三方檢測機構(gòu)可提供微電子材料檢測服務(wù)，工程師一對一服務(wù)，根據(jù)微電子材料檢測需求制定方案，安排實驗室寄樣檢測，常規(guī)檢測項目在3-15個工作日內(nèi)完成并出具微電子材料檢測報告，歡迎咨詢。

檢測費用：電議

檢測周期：常規(guī)3-15個工作日，特殊情況除外。

報告資質(zhì)：CMA、CNAS等

報告樣式：中英文、紙質(zhì)版、電子版。

微電子材料檢測項目：

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度,少子壽命,工業(yè)硅中雜質(zhì)元素含量,晶向,晶片彎曲度,晶片翹曲度,電阻率與摻雜劑濃度換算,砷化鎵單晶AB微缺陷,砷化鎵單晶EL2濃度,砷化鎵單晶位錯密度,砷化鎵和磷化銦材料霍爾系數(shù),砷化鎵材料雜質(zhì)均勻性,砷化鎵材料雜質(zhì)濃度,砷化鎵材料熱穩(wěn)定性,砷化鎵材料霍爾遷移率、電阻率均勻性,砷化鎵材料霍爾遷移率和電阻率的均勻性,硅單晶完整性,硅單晶電阻率,硅外延層、擴散層和離子注入層薄層的電阻,硅外延層厚度,硅外延層晶體完整性,硅多晶斷面夾層,硅拋光片氧化誘生缺陷,硅拋光片表面質(zhì)量,硅晶體中氧含量,硅晶體中碳含量,硅晶體中間隙氧含量徑向變化,硅材料缺陷,硅片厚度和總厚度變化,硅片電阻率,硅片直徑測量,硼含量,碳化硅單晶拋光片表面粗糙度,碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量,碳化硅單晶片厚度和總厚度變化,碳化硅單晶片微管密度,碳化硅單晶片直徑,磷化銦位錯,鍺單晶位錯,霍爾系數(shù),砷化鎵材料霍爾遷移率,硅外延層電阻,光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量,多晶硅表面金屬,導(dǎo)電類型,徑向電阻率變化

微電子材料檢測流程：

1、咨詢工程師，提交檢測需求。

2、送樣/郵遞樣品。

3、免費初檢，進行報價。

4、簽訂合同和保密協(xié)議。

5、進行方案定制、實驗。

6、出具實驗結(jié)果和檢測報告。

微電子材料檢測標準：

1、SJ/T 11503-2015 碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測試方法

2、GB/T4326-2006 非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

3、GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測試方法

4、GB/T 1557-2006 硅晶體中氧含量

5、GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法

6、GB/T 14142-2017 硅外延層晶體完整性檢查方法 腐蝕法

7、GB/T 13389-2014 摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

8、GB/T6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測試方法

9、GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

10、GB/T1555-2009 半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

11、GB/T30868-2014 碳化硅單晶片微管密度的測定 化學(xué)腐蝕法

12、GB/T 14140-2009 硅片直徑測量方法

13、GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法

14、GB/T30453-2013 硅材料原生缺陷圖譜

15、GB/T30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法

16、GB/T19199-2015 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法

17、GJB 1927-1994 砷化鎵單晶材料測試方法 GJB 1927-1994

18、GB/T6618-2009 硅片厚度和總厚度變化測試方法

19、GB/T1554-2009 硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

20、GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法

微電子材料檢測報告有什么用？

1、 入駐天貓、京東等電商平臺。

2、 進入大型超市或賣場。

3、 招投標。

4、 工程驗收。

5、 宣傳用報告。

6、 供應(yīng)商要求。

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