咨詢(xún)半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)服務(wù)，上百檢網(wǎng)。我們會(huì)為您安排半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)工程師對(duì)接，溝通半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)項(xiàng)目、標(biāo)準(zhǔn)、周期等，待方案確認(rèn)后，即可開(kāi)始樣品檢測(cè)，出具半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)報(bào)告真實(shí)有效，常規(guī)周期在3-15個(gè)工作日，特殊項(xiàng)目需在方案制定時(shí)詳細(xì)確認(rèn)，歡迎咨詢(xún)。

檢測(cè)周期：常規(guī)3-15個(gè)工作日，可加急（特殊樣品除外）

報(bào)告樣式：電子版、紙質(zhì)，中、英文均可。

報(bào)告資質(zhì)：CMA、CNAS

半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)項(xiàng)目：

模擬電壓工作范圍,導(dǎo)通態(tài)漏電流IDS（on）,導(dǎo)通電阻Ron,導(dǎo)通電阻路差△Ron,截止態(tài)漏電流ID（off）,電源電流,導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻路差,截止態(tài)源極漏電流,截止態(tài)漏極漏電流,導(dǎo)通態(tài)漏電流,開(kāi)啟時(shí)間/關(guān)斷時(shí)間,截止態(tài)漏極漏電流/截止態(tài)源極漏電流,導(dǎo)通態(tài)漏電流IDS(on),導(dǎo)通電阻路差ΔRon,截止態(tài)源級(jí)漏電流IS（off）,截止態(tài)漏極漏電流ID（off）,輸入低電平電流IIL,輸入高電平電流IIH,靜態(tài)工作電源電流IDD,功能測(cè)試,導(dǎo)通態(tài)漏電流IDS(on),導(dǎo)通電阻Ron,導(dǎo)通電阻路差△Ron,截止態(tài)源極漏電流IS(off),截止態(tài)漏極漏電流ID(off),輸入低電平電流IIL,輸入高電平電流IIH,靜態(tài)工作電源電流,雙向開(kāi)關(guān)截止電流,關(guān)斷時(shí)間,導(dǎo)通電阻溫度漂移率,導(dǎo)通電阻路差率,開(kāi)啟時(shí)間,通道轉(zhuǎn)換時(shí)間,導(dǎo)通態(tài)漏電流 IDS(on),導(dǎo)通電阻 RON,導(dǎo)通電阻路差 △RON,截止態(tài)源極漏電流IS(off),截止態(tài)漏極漏電流ID(off),輸出低電平電壓 VOL,輸出高電平電壓 VOH,靜態(tài)條件下的電源電流 IDD,導(dǎo)通電阻RON,截止態(tài)源極漏電流IS（OFF）,截止態(tài)漏極漏電流ID（OFF）,邏輯端輸入電流,導(dǎo)通態(tài)漏電流 IDS(on),導(dǎo)通電阻 RON,截止態(tài)源極漏電流 IS(off),截止態(tài)漏極漏電流 ID(off),靜態(tài)條件下的電源電流,導(dǎo)通態(tài)漏電流IDS(on),導(dǎo)通電阻Ron,導(dǎo)通電阻路差△Ron,截止態(tài)源極漏電流IS(off),截止態(tài)漏極漏電流ID(off),截止態(tài)源極漏電,導(dǎo)通態(tài)漏極漏電流,輸出高電平電壓VOH,輸出低電平電壓VOL,電源電流IDD,開(kāi)啟時(shí)間ton,關(guān)斷時(shí)間toff,輸出高電平電壓,輸出低電平電壓

半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)流程：

1、確認(rèn)樣品和需求

2、制定方案

3、報(bào)價(jià)

4、雙方確定，簽訂保密協(xié)議，開(kāi)始實(shí)驗(yàn)

5、3-15個(gè)工作日（特殊樣品除外）完成實(shí)驗(yàn)

6、出具檢測(cè)報(bào)告，后期服務(wù)。

半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)：

1、SJ/T 10741-2000 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

2、GB/T 14028-2018 半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法的基本原理 5.2

3、GB/T 17574-1998 半導(dǎo)體集成電路 第2部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998

4、GB/T 17940-2000 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分：模擬集成電路 第III篇第6節(jié) 5.1.1

5、GB/T 14028-1992 半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法的基本原理 條款2.6

6、GB/T14028-2018 半導(dǎo)體集成電路 模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法 5.1

7、GB/T14028-2018/ 半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法的基本原理 5.4

8、GB/T 14028-2018 《半導(dǎo)體集成電路 模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法》 GB/T 14028-2018

9、GB/T 17574-1998 半導(dǎo)體集成電路 第2部分：數(shù)字集成電路 第Ⅳ篇 第2節(jié) 2

10、GB/T 17940-2000 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分：模擬集成電路 GB/T 17940-2000

11、SJ/T 10741-2000（CMOS） 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 條款5.15

12、GB/T 14028-1992 半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法的基本原理 GB/T 14028-1992

13、SJ/T10741-2000 5.9 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理

14、SJ/T10741-2000 5.10 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理

15、SJ/T 10741-2000 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T10741-2000

16、GB/T17574-1998 《半導(dǎo)體器件集成電路 第2部分：數(shù)字集成電路》 第Ⅳ篇 第2節(jié) 1

半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)報(bào)告有什么用？

銷(xiāo)售：出具檢測(cè)報(bào)告，提成產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

研發(fā)：縮短研發(fā)周期，降低研發(fā)成本。

質(zhì)量：判定原料質(zhì)量，減少生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

診斷：找出問(wèn)題根源，改善產(chǎn)品質(zhì)量。

科研：定制完整方案，提供原始數(shù)據(jù)。

競(jìng)標(biāo)：報(bào)告認(rèn)可度高，提高競(jìng)標(biāo)成功率。

關(guān)于半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)檢測(cè)檢測(cè)內(nèi)容就介紹到這里。百檢網(wǎng)第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)期待與您的合作，詳情請(qǐng)聯(lián)系百檢客服。